DMN2075UDW-7 与 BSD214SN H6327 区别
| 型号 | DMN2075UDW-7 | BSD214SN H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN2075UDW-7 | A-BSD214SN H6327 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 111mΩ |
| 上升时间 | - | 7.8ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 800pC |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 594.3 pF @ 10 V | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | 12V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4S |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 7 nC @ 4.5 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-363 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 2.8A(Ta) | 1.5A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 2.00mm |
| 下降时间 | - | 1.4ns |
| 高度 | - | 0.90mm |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) | 500mW(1/2W) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 48mΩ@3A,4.5V | - |
| 典型关闭延迟时间 | - | 6.8ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | BSD214 |
| 驱动电压 | 1.5V,4.5V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.1ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN2075UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±8V SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 2.8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSD214SN H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 1.5A 111mΩ 12V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
